天科合达彭同华：碳化硅材料技术产业现状与新趋势

碳化硅作为宽禁带半导体的重要代表，正在成为制作高性能电力电子器件的理想半导体材料，有数据显示，碳化硅电力电子器件2021-2027年复合年均增长率为34%。碳化硅电力电子器件也已经成为国内外研究和产业化热点。

开幕大会现场

【资料图】

2023年5月5-7日日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”于长沙开幕。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。

开幕大会上，北京天科合达半导体股份有限公司董事、常务副总经理彭同华详细分享了碳化硅材料技术产业现状与新趋势，介绍了SiC材料制备工艺流程、SiC晶体生长方法、SiC晶体加工方法，以及6英寸SiC衬底等技术进展。

报告指出，碳化硅衬底材料制备和外延生长关键技术已经全面掌握，能支撑碳化硅器件对材料质量的需求。未来衬底和外延研发将朝着生长速度更快、晶体更厚、尺寸更大、成本更低，技术参数分布区间更窄、均匀性更好等方向发展。近几年随着下游需求的快速增长，碳化硅材料总体呈现供不应求的态势，预计2023年国内6英寸导电衬底（导电型折合）供应量40万片左右。国产碳化硅材料（导电型+半绝缘型）完全能够支撑国内下游的需求。国产碳化硅材料质量获得国外部件厂家认可。

当前，碳化硅材料国产化设备和原材料加速发展，碳化硅材料产业生态正在加速完成。8英寸碳化硅材料发展对新技术、新装备是一个好机遇。单晶生长炉、晶体生长技术、切割技术、衬底磨抛技术、外延生长等方面，新技术、新产品、新装备不断涌现。

天科合达业务涵盖碳化硅单晶生长设备制造，碳化硅原料合成，衬底制备和外延生长，主要产品包括6英寸导电型SiC晶片，6英寸半绝缘型SiC晶片、6英寸SiC晶体、SiC单晶炉。关键核心技术覆盖SiC晶体生产全流程。

对于下一步发展布局，报告中透露，天科合达深圳重投项目预计2023年投产，主要生产衬底和外延。生产衬底的江苏徐州第二期和北京大兴二期，预计将分别于2024年、2025年投产。

备注：上述嘉宾观点未经其本人确认，仅根据现场素材整理，如有出入请谅解！详情可点击下方二维码观看开幕大会报告回放。

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——开幕大会回看——

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CASICON 系列活动简介

“先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”等形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。

CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。2023年长沙站已经成功召开，上海站、西安站、北京站、成都站等巡回站点活动正在筹备中。详情点击：第三代半导体产业 公众号-发消息，咨询合作事宜。

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